刻蝕是用化學或物理的方法有選擇地從硅片上去除不需要材料的過程。刻蝕是在硅片上進行圖形轉(zhuǎn)移的后主要工藝步驟。半導體刻蝕工藝有兩種基本方法：干法刻蝕和濕法腐蝕。干法刻蝕是亞微米尺寸下刻蝕器件的主要方法，濕法腐蝕使用液體腐蝕的加工方法，主要用于特征尺寸較大的情況。

按照被刻蝕材料來分，干法刻蝕主要分成：金屬刻蝕、介質(zhì)刻蝕和硅刻蝕。刻蝕也可以分成有圖形刻蝕和無圖形刻蝕。有圖形刻蝕可用來在硅片上制作不同圖形，例如柵、金屬互連線、通孔、接觸孔和溝槽。無圖形刻蝕用于剝離掩蔽層。有圖形或無圖形刻蝕都可以分別采用干法刻蝕或濕法腐蝕。

刻蝕的主要工藝參數(shù)有：刻蝕速率、刻蝕剖面、刻蝕偏差、選擇比、均勻性、殘留物、聚合物、等離子體誘導損傷、顆粒玷污和缺陷。